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浅结/超浅结
晶圆退火 | LA
浅结/超浅结晶圆退火 | LA
应用领域
BSI-CCD晶圆低能注入离子激活
产品特点

  • 国内首创，8寸量产设备

  • 精确能量密度控制

  • 紫外波段激光、穿透深度小

  • 大长宽比线形平顶光斑

  • 低扩散深度的超浅结深控制工艺技术

型号LA2518UV
晶圆尺寸6寸、8寸
结深≤50nm
杂质峰值扩散深度≤5nm
RS不均匀性<2%(片内/片间)
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晶圆制造
IGBT晶圆激光退火 | LA 激光诱导结晶设备 | LIC 浅结/超浅结晶圆退火 | LA 激光解键合系统 | LD
SiC晶圆激光退火 | LA 激光诱导外延生长设备 | LIEG 晶圆激光标刻机 | WLM
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